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聚酰亚胺(PI)薄膜是一种综合性能优异的工程塑料，其具有优异的电气性能、机械性能、耐高温性能和耐溶剂性，广泛应用于航空航天、电子电气和信息产业等领域。然而，由于PI具有较高的电阻率（表面电阻率在1014以上），在摩擦和接触过程中容易在制品表面产生静电，给材料的加工和应用带来危害。特别是在电子工业中，静电泄漏会使半导体器件失灵，干扰电路的正常运行。因此，PI的抗静电改性已愈来愈受到重视。 本文以新型的导电填料掺锑二氧化锡(ATO)、掺氟二氧化锡(FTO)，利用原位聚合法将导电填料分散在PI中，改变导电填料的添加量，制备出综合性能优异的抗静电薄膜，其中固含量为15％，当填料的用量为10％～25％时，材料的表面电阻率的数量级为1010Ω。填料的加入对热性能有显著提高，热分解温度（Td）升高，热膨胀系数（CTE）降低。添加填料的PI薄膜仍保持了一定的透明性。扫描电镜(SEM)显示填料团聚现象明显，导致薄膜力学性能略有下降。 使用两种偶联剂KH560(γ-(2，3-环氧丙氧基)丙基三甲氧基硅烷）、KH570(γ-(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷）对导电填料ATO进行了表面改性，研究了改性后杂化颗粒的亲油性、分散性能、接枝率，确定了最佳反应比。当反应最佳质量比为KH560/ATO(2.5∶10)、KH570/ATO(3∶10)，接触角分别为120°、130°，接枝率分别为0.08％、0.11％。进一步将杂化颗粒分散在PI基体中，当添加KH560/ATO颗粒质量分数10％、KH570/ATO颗粒质量分数8％时，表面电阻率降为1010Ω。透射电镜(TEM)显示颗粒分散性能提到明显提高， 由于在PI中添加导电填料的过程中，体积电阻率也会降低，制备了三层结构的抗静电薄膜，中间层为纯PI薄膜，两侧为添加导电填料的薄膜。对比考察了三层薄膜与掺杂薄膜的各项性能，结果表明:三层薄膜保持了掺杂薄膜具有的抗静电性能，且体积电阻率保持不变，层与层的结构对薄膜的力学性能、热性能、透光度都有一定的提高。