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本论文主要围绕GaAs基纳米结构的表面态特性和表面修饰方法展开了相关的研究工作。使用硫钝化和表面制备Sb2S3纳米颗粒这两种方式对GaAs基纳米结构进行了表面修饰,有效改善了GaAs基纳米结构的表面态,并且增强了GaAs基纳米结构的发光性能。通过室温光致发光（PL）测试和低温PL测试,得到表面修饰前后GaAs基纳米结构光学性质变化的规律。为今后以GaAs基纳米结构为基础的半导体激光器提供了基础材料和技术支持。论文主要包括以下三个部分:（1）使用（NH4）2S溶液对GaAs薄膜进行硫钝化,通过室温PL测试和低温（10K）PL测试,发现样品的最佳钝化时间为25分钟,此时发光强度增强了14倍;从归一化PL谱中可以看到,硫钝化没有改变样品的发光机制。在变激发功率PL测试和变温PL测试中,发现两个不同发光机制的峰位,使用公式对PL光谱的谱线进行拟合后,确认了1.492eV峰位的发光机制为带-受主能级跃迁（B-A）,1.512eV峰位的发光机制为自由激子（FE）发光。（2）使用化学浴沉积（CBD）方法在GaAs薄膜表面制备了Sb2S3纳米颗粒。通过紫外-可见吸收光谱（UV-VIS）测试,可知Sb2S3纳米颗粒的光学带隙为1.67eV。通过变激发功率PL测试和变温PL测试发现,制备Sb2S3纳米颗粒的样品在1.481eV处,出现类似束缚激子（BE）的发光峰位。但是该峰位的发光强度较低,不宜观察,因此在更细微的GaAs纳米线结构上再次进行实验。（3）通过分子束外延（MBE）技术生长了GaAs纳米线,对其进行了扫描电子显微镜（SEM）测试和PL测试。然后使用CBD方法在GaAs纳米线上制备Sb2S3纳米颗粒。通过变激发功率PL测试和变温PL测试,证明了在GaAs纳米线上制备Sb2S3纳米颗粒确实会引入束缚态,束缚激子的发光峰位于1.471eV处,并且束缚能会随着Sb2S3纳米颗粒生长周期的增加而增大。当生长20周期Sb2S3纳米颗粒时,束缚能为10meV。