压敏陶瓷是一类对电压变化敏感的非线性电阻陶瓷，其中，SnO₂压敏电阻是通过烧结SnO₂粉和少量添加剂而获得陶瓷半导体。由于良好的结构均匀性、晶界有效性、热稳定性和老化特性使得SnO₂压敏电阻成为一种有潜力的压敏陶瓷材料。本论文通过研究ZnO、CuO两种烧结助剂以及TiO₂、ZrO₂两种四价修饰改性剂对SnO₂压敏电阻材料的掺杂效应发现：（1）在SnO₂–Ta₂O₅–ZnO压敏变阻材料中，适量的ZnO掺杂可以提高材料的烧结性能。在温度一定条件下，SnO₂–Ta₂O₅–ZnO压敏变阻材料的非线性系数随ZnO掺杂量增加呈先增大后减小趋势，压敏电压先增大后减小，漏电流先减小后增大。在ZnO含量一定时，压敏电阻非线性系数和压敏电压随温度从1300℃升至1500℃呈先增大后减小趋势。在试验范围内，1450℃下烧结制得的0.5mol%ZnO掺杂的SnO₂–Ta₂O₅–ZnO压敏电阻材料具有最好的烧结性，最高的非线性系数6.2，最小的漏电流262μA/cm²，以及较高的压敏电压83V/mm。（2）在SnO₂–Ta₂O₅–ZnO–TiO₂压敏变阻材料中，烧结过程时TiO₂可以促进晶粒生长。在TiO₂掺杂含量不超过4.0mol%时，TiO₂掺杂可提高样品压敏电压和非线性系数，降低漏电流；TiO₂掺杂含量在4.0⁶.0mol%时TiO₂含量增加，样品的非线性系数和压敏电压有所下降。本实验条件下，4.0mol%TiO₂掺杂获得最大的非线性系数21，最大的压敏电压1000V/mm，较小的漏电流80μA/cm²。（3）在SnO₂–Ta₂O₅–TiO₂–CuO压敏变阻材料中，适量的CuO掺杂可以提高材料的烧结性能。温度一定时，SnO₂–Ta₂O₅–TiO₂–CuO压敏变阻材料的非线性系数随CuO掺杂量从0mol%增加至6.0mol%呈先增大后减小趋势，压敏电压先增大后减小，漏电流先减小后增大。在试验范围内，3.0mol%CuO掺杂时材料具有最高的非线性系数14，最小的漏电流600μA/cm²，压敏电压为170V/mm。（4）在SnO₂–Ta₂O₅–ZnO–ZrO₂压敏变阻材料中，ZrO₂在烧结过程中具有抑制晶粒长大的作用。当ZrO₂掺杂不超过1.0mol%时，ZrO₂掺杂可提高样品非线性系数，降低漏电流；继续增加至2.0mol%时，样品的非线性系数下降，漏电流上升。随着ZrO₂掺杂量的增加，材料的压敏电压呈现单调递增的变化趋势。本实验条件下，1.0mol%ZrO₂掺杂获得最大的非线性系数16，最小的漏电流110μA/cm²；2.0mol%掺杂时得到最大的压敏电压720V/mm。