从江崎等提出并制出GaAs／AlGaAs系超晶格以来，随着超薄膜制备技术的发展，对超晶格结构的研究获得了很大的成绩，特别是GaAs／AlGaAs系超晶格材料，由于它们的单晶生长、物理性质控制比较容易，两者的晶格常数相差不大，材料性质比较相近等原因，这种超晶格结构更是获得了大量的研究。 到目前为止，计算材料能带结构的方法有很多。在这篇论文里，我们首次利用电子的干涉理论对超晶格材料的能带结构进行了计算和分析，并取得了较好的结果。 我们首先研究了用分子束外延方法(MBE)制备的掺杂GaAs／AlGaAs超晶格材料在室温下的光致发光行为，观察到了与受主相关的发光峰及激子发光峰。并对不同激发波长下得到的发光谱进行了研究。同时通过对超晶格材料的光电流谱的测量，研究了超晶格材料的子带结构。论文主要包括以下几部分。 第一章介绍了超晶格量子阱材料的基本概念，基本理论和基本性质。 第二章介绍了超晶格量子阱材料的生长方法，阐述了分子束外延(MBE)的基本原理，介绍了超晶格样品的制备及对样品的测试方法——光致发光。 第三章研究了GaAs／AlGaAs超晶格材料室温下的光致发光行为。在室温下测量了样品的光致发光谱，根据理论计算分析了其发光峰的位置，对发光峰进行了指认。在室温下，光致发光谱的强发光峰是GaAs／AlGaAs超晶格量子阱中处于阱口附近激发态上的电子与受主杂质上的空穴复合发光引起的。 第四章研究了在77K低温下测量的样品的光电流，我们采用电子波动理论，通过考虑电子波在超晶格界面的反射与干涉，分析了超晶格的光电流谱，研究了超晶格材料的子带结构，计算了子带的带宽。