热释电复合材料极化工艺研究

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综观国内外复合材料相关研究,专家学者们就如何提高复合材料的性能,尝试了很多方法和途径,但是,极化始终是难点和重点所在。本文主要就复合材料的极化机制以及极化效果进行一定的研究,通过掺杂改性,提高复合材料中陶瓷颗粒的电场分布率,使得相同极化条件下,陶瓷颗粒极化更加充分;通过改进现有极化工艺,从工艺的角度探讨复合材料性能的提高。本文在复合材料中进行一定量纳米碳粉的掺杂改性,提高了聚合物基体电导率,从而提高复合材料中陶瓷颗粒电场分布率,表现出更好的电学性能。PZT陶瓷体积分数为40%,纳米碳粉体积分数(相对于PVDF,以下所指均相同)为0.7%,温度为30℃时,复合材料介电损耗tanσ达到最小值为2.3%,并且诱导PVDFβ晶型的生成;复合材料压电系数d33达到最大值为8 PC/M、热释电探测率优值Fd达到最大值为1.6×10-5Pa1/2,相对于未进行纳米碳粉掺杂改性的复合材料,分别提高14%、33%;本文设计了三步极化工艺,即将PZT陶瓷样片极化后粉碎制备成陶瓷粉体(第一步)、在样品成型过程中施加偏场进行极化(第二步)、样品成型后再进行油浴极化(第三步)的方法。经过实验验证,三步极化法有效的提高了复合材料的压电性能和热释电性能。当PZT陶瓷体积分数为40%,第二步极化电场强度为15kv/mm,温度为30℃时, d 33和Fd达到最大值,分别为10 PC/ N、2.0×10-5 Pa ?1/2,相对于普通油浴极化制备的复合材料,分别提高67%和54%;纳米碳粉掺杂改性和三步极化工艺共同作用制备复合材料时,两者优势得到充分发挥,复合材料介电损耗进一步降低,压电性能和热释电性能进一步改善。当PZT陶瓷体积分数为40%,纳米碳粉体积分数为0.7%,第二步极化电场强度为15kv/mm,温度为30℃时,εr达到最大值50,t anσ达到最小值2.0%,d33达到最大值11 ,Fd达到最大值2.4×10-5Pa1/2.
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