场致发射显示板继承了传统 CRT 的优良显示性能，是一种具有广阔应用前景的平板显示器件。在平板显示领域，特别是军事领域，FED有其固有的许多优势。但是与 LCD 和 PDP 相比较，FED还有一些问题需要解决，包括器件寿命、隔离体、亮度、电子发射均匀性、调制电压范围、驱动方法以及低成本的器件制备技术等。 本文的研究内容主要包括基于Hopping效应，设计出一种新型三极结构FED；主要采用厚膜工艺制备这种新型结构FED；用光刻工艺制备栅极通道孔；新型结构FED的制备流程；封装过程中遇到的问题和解决办法。 本文提出了采用HOP Spacer作为 CNT-FED 器件的调制极，并设计了相应的结构。理论分析和实验结果表明方案具有相当的可行性，新型结构FED能够明显降低厚膜 CNT-FED 器件的调制电压范围。 为了以低成本研制出新型结构FED，相应的厚膜制备工艺也被详细提出，主要是采用丝网印刷工艺制备前后基板和新型栅极结构中的电子发射材料、银电极、荧光粉和绝缘介质，并获得了适用于制备新型结构FED的工艺参数。由于喷砂法制备的 HOP Spacer 机械性能较差，本文采用光刻技术制备栅极通道孔并获得成功，这使得在栅极基板上制备银电极和介质层成为可能。 新型结构 FED 的前处理还包括：对CNT进行了一些处理以提高其电子发射性能；利用银浆的渗透提高栅极的调制能力；用电子束蒸发法在栅极表面和通道孔中制备MgO；选用合适的材料作为隔离体。由于新型结构FED中栅极基板易在高温环境下破裂，所以封接和排气是本论文的难点。经过反复试验，我们摸索出一套成品率比较高的工艺步骤和参数。经过老练提高阴极的电子发射性能后，器件的制备成功完成。 最终我们成功研制出新型带HOP结构的FED三极器件，亮度可以达到400cd/m<'2>，调制电压范围仅为80V。