本论文的主要内容为聚偏氟乙烯（PVDF）基复合膜介电储能性能的研究。为了制备具有低损耗、高击穿场强、高储能的介电储能材料,本研究以高介电的Nd-BaTiO₃作为原料,制备了Nd-BaTiO₃@Al₂O₃（NBT@AO）颗粒,通过探究不同的溶液温度与退火温度,发现70°C溶液温度与300°C退火温度下制备Nd-BaTiO₃@Al₂O₃@Dopamine（NBT@AO@PDA）颗粒表现出了良好的形貌与分散性。并在此基础上进一步制备了NBT@AO@PDA颗粒。采用流延法将这两种颗粒与PVDF进行复合,对复合膜的相结构与形貌进行了表征,探究了颗粒对复合膜介电性能、击穿性能、储能性能的影响。NBT@AO颗粒对PVDF的相结构没有产生影响,在小填充比下NBT@AO颗粒在复合膜中有着较好的分散性,但随着颗粒填充比的增加其在PVDF基体中分散性变差。探究了1⁴ vol%的PVDF/NBT@AO复合膜的介电性能。结果表明:NBT@AO颗粒可以提升复合膜的介电常数,NBT@AO颗粒在小添加量对介电损耗有抑制作用。在412 kV/mm的电场下,填充比为1 vol%的PVDF/NBT@AO复合膜的可释放储能密度达到了8.58 J/cm³,储能效率为59%。在PVDF/NBT@AO@PDA复合膜中颗粒与PVDF有着紧密的结合,颗粒对复合膜的相结构没有产生影响,在小填充比下NBT@AO@PDA颗粒可以抑制复合膜的介电损耗。其中1 vol%的复合膜表现出最优性能:在472 kV/mm的电场强度下,填充比为1vol%的PVDF@AO@PDA复合膜的可释放储能密度达到了10.94 J/cm³,储能效率为65%,比无多巴胺包覆的复合膜提升了6%。