本论文采用二次离子质谱（SIMS）法定量分析离子注入碳化硅样品以及升华法生长的掺杂碳化硅样品中金属钒杂质含量。用相对灵敏度因子的方法,分析痕量杂质钒在碳化硅表面的浓度随深度变化的情况。在SIMS完成成份深度分析过程中,对一次束流强、轰击时间、二次离子收集面积、二次离子种类、二次离子能量范围和质量分辨率等实验参数进行研究,建立了实验分析方法。以离子注入的样品为标样,用二次离子质谱分析了注入的金属钒原子在碳化硅中深度分布,并与TRIM模拟对结果进行了比较。研究结果表明:选择合适的测试条件,离子注入样品的检测限达到5×10¹⁴cm^-3,升华法生长的掺杂碳化硅样品中检测限的测量值达到1×10¹⁴cm^-3。同时获得的杂质深度剖析曲线与TRIM模拟结果相差不大,基本上建立掺钒SiC单晶钒含量SIMS定量测量方法。