随着无线通讯设备不断向小尺寸、集成化方向发展,微波介质陶瓷材料不仅需要适当的介电常数（εr）,高的品质因素（Q×f）以及较低的谐振频率温度系数（τf）,同时也需要有较低的烧结温度,以便与低熔点的电极共烧,满足LTCC（低温共烧陶瓷）技术的要求。本文通过传统的固相反应法制备了5Mg_O-3Li2_O-4W_O3、Li₄xMg_3（1-x）Al_6（1-x）Ti₅O₁₂、Li₄Ti₅O₁₂等新型低温烧结微波介质陶瓷,系统研究了LiZnNbO₄陶瓷的低温化烧结、工艺优化、烧结特性及性能调节,并对上述陶瓷与Ag电极的低温共烧进行了初步探讨。（1）采用传统的固相反应法制备了5MgO-3Li₂O-4WO₃新型低烧微波介质陶瓷,通过XRD、SEM以及微波网络分析仪研究了该陶瓷的相结构、原子占位、烧结性能及微波介电性能。5Mg O-3Li₂O-4WO₃陶瓷不仅具有低的烧结温度（≤840 oC）,而且还具有低介电常数¹0.3,高品质因素²0,537 GHz（在¹1GHz频率下）。该材料能与Ag共烧兼容,表明其可作为LTCC器件的备选材料。（2）对比研究了不同原材料处理方式对Li Zn Nb O4陶瓷相转变、显微结构、烧结特性及微波介电性能的影响,恰当的原材料处理使得Li Zn Nb O4陶瓷在一个较低的温度区间（950¹070 oC）获得高的品质因数（Q×f）,改善了Li Zn Nb O4陶瓷的烧结特性,并降低其烧结温度。加入一定量的Ca Ti O₃来调节Li Zn Nb O₄陶瓷的τf,1070 oC烧结的0.9Li Zn Nb O_4-0.1Ca Ti O₃陶瓷具有优异的微波介电性能:εr=22.9,Q×f=10,583 GHz（谐振频率f⁷.4 GHz）,τf=-27.5 ppm/oC。（3）研究了Li₄xMg_3（1-x）Al_6（1-x）Ti_5x O₁₂（0.2≤x≤0.8）微波介质陶瓷体系的相结构、微观形貌及微波介电性能。Li_4xMg_3（1-x）Al_6（1-x）Ti_5x O₁₂（0.2≤x≤0.8）陶瓷表现出良好的综合性能:εr=11.5²6.5,Q×f=7,102³0,191 GHz,τf=-55.4⁺5.7 ppm/°C,烧结温度可以从1280 oC降低至925°C。值得注意的是,Li_4xMg_3（1-x）Al_6（1-x）Ti_5x O₁₂（x=0.6）陶瓷在1075°C时烧结显示出中等的εr¹8.8,高Q×f¹2,429 GHz（谐振频率f⁸ GHz）,近零的τf^-6.0 ppm/°C。（4）通过传统的固相法制备了新型Li4Ti5O12低烧微波介质陶瓷,并对其相结构、烧结特性、微观晶粒形貌以及微波介电性能进行了较为系统的研究。XRD分析表明其具有立方尖晶石结构（JCPDS file No.00-049-0207）。该陶瓷在925°C烧结时,获得最佳的微波介电性能:中等介电常数³1.5,高品质因数（Q×f）²9,530 GHz（谐振频率f⁷GHz）,以及小的谐振频率温度系数（τf）^-15.0 ppm/°C。当烧结温度上升到1025°C以上,析出的Ti O2相使得混和相的谐振频率温度系数调节近零。