引线键合材料是微电子封装用关键基础材料，键合铜丝以其优异导电导热性能、良好机械性能和价格优势，能更好地满足微电子封装向细间距、长跨度、高引出端和低成本方向的发展需求，是替代传统键合金丝的最佳引线键合材料，在半导体器件及集成电路封装中有广泛的应用前景。　　本文深入研究了键合铜丝制备的微细丝拉拔、退火和复绕等关键工艺技术，分析了主要工艺参数对超细丝材加工性能及表面质量的影响，提出了有效提高超细丝材加工成材率的优化工艺技术。并系统研究了铜丝在退火过程中发生回复和再结晶的组织演变，深入分析退火工艺与显微组织及性能的关系，为进一步开发高性能键合铜丝提供了良好的理论和技术指导。主要研究结果如下:　　1、采用多道次多模拉拔、使用高品质天然钻石模具和导向轮并定期检查清洗，配置适当的模具减面率:10～15％（φ8mm～φ0.08mm）、5～10％（φ0.08mm以下），润滑冷却液的浓度为0.5‰、拉拔张力0.06A～0.03A等，可实现铜丝连续拉拔，得到性能均匀及表面质量良好的微细丝材。　　2、优化的拉拔工艺并结合采用550℃～580℃中间退火工艺等整套的优化工艺制备出了质量优良的φ18μm～φ35μm键合铜丝，φ18μm丝材的单丝长度达1万米、超细丝材（φ≤20μm）成品率超80％。　　3、通过实验得到了恒定张力的九段多层多间距的复绕排线工艺设计规律;并在此基础上提出了φ0.018μm～φ0.035μm的优化定尺复绕程序。放线测试表明，采用恰当的排线间距和复绕张力，并系统优化设置绕线程序参数，不仅保证放线顺畅，同时还防止丝材发生卷曲与扭转，使复绕前后丝材性能保持一致。　　4、在一定转速（50rpm）不同温度下进行退火，键合铜丝显微组织的演变过程为:300℃～350℃下回复、350℃～460℃下再结晶、460℃～580℃下再结晶晶粒长大。　　5、键合铜丝的退火温度、显微组织与力学性能之间的关系为:300℃～350℃退火的回复阶段，铜丝硬度和破断力缓慢下降、延伸率缓慢上升;350℃～460℃退火的再结晶阶段，硬度和破断力迅速下降、延伸率迅速上升;460℃～580℃退火的晶粒长大过程中，硬度和破断力下降趋缓、延伸率上升趋缓。　　6、根据实验研究建立的铜丝退火工艺—显微组织—力学性能的对应关系，为满足不同键合工艺要求，可选用400℃～580℃适当退火工艺，得到细小再结晶组织或部分再结晶长大组织，从而获得具有不同破断力和延伸率匹配的键合铜丝产品。本研究制备出了批量的键合铜丝样品，其性能稳定一致，经封装厂家试用，结果表明:键合铜丝的力学性能、外观质量和键合工艺性能满足LED管芯封装及部分IC封装的使用要求。