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基于深度神经网络的火电厂排放物浓度软测量和预测研究与实现
【机 构】
：
西安电子科技大学
【发表日期】
：
2023年01期
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太赫兹技术在雷达系统、生物医学、探测和通信等领域展现出巨大的应用潜力。太赫兹辐射源作为太赫兹技术中的重要一环,是当下国际重点研究课题,而基于半导体材料的太赫兹固态源更是其中的研究热点。第三代半导体材料的代表氮化镓（GaN）由于高电子迁移率、大的禁带宽度等适用于高频大功率的独特品质而在太赫兹领域备受关注。目前已有研究表明GaN基高电子迁移率晶体管（HEMT）中存在耿氏振荡,尽管相关研究仍旧很少,且器
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随着现代医疗数字化和智能化的快速发展,生物信号的采集需求越来越大,对生物信号采集和处理水平的要求也越来越高。由于生物信号频率较低、幅度较小的特点,在生物信号采集系统中,一般采用低速高精度的模数转换器（ADC）进行采样和量化。另外,生物信号采集系统对便携性要求较高,因此对功耗和体积也有严苛的要求。低速、低功耗、高精度的模数转换器是实现生物信号采集系统最关键的单元之一,其性能对系统功能具有重要影响。S
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电子设计自动化对于集成电路设计的重要性不言而喻,验证遍布设计流程的各个环节且成本占比最高。基于多FPGA（Field Programmable Gate Array,现场可编程逻辑门阵列）系统的原型验证和硬件仿真具有速度快、容量大等特点,目前被广泛应用于超大规模集成电路的逻辑验证。多FPGA系统的编译过程决定着最终性能,电路划分、系统级布线和TDM（Time Division Multiplexi
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氮化镓（GaN）材料具有宽带隙、高击穿电场和耐高温等优势,在高频、高压和高温等领域具有广阔的应用前景。尤其是GaN材料还表现出优异的抗辐照特性,使GaN基高电子迁移率晶体管（HEMT）在空间应用中具有突出的应用潜力。然而,前期研究发现,在空间环境中GaN HEMT器件受到高能粒子辐照后会发生单粒子效应（SEE）,严重制约了其在空间环境中的应用。因此,本文基于Silvaco TCAD工具对GaN H
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氮化镓（GaN）器件凭借其高电子迁移率、高二维电子气密度等优势广泛应用于雷达、通信等领域。在实际应用中,氮化镓器件会面临氢气环境,这可能对器件的电学性能产生影响。因此本文主要针对氮化镓器件的氢效应和氢处理后氮化镓HEMT器件的电应力可靠性两个方面开展现象分析和机理研究。首先开展了氮化镓器件的氢效应研究。将GaN器件置于压强0.5MPa、浓度为99.9%的氢气气氛中,并于120℃下处理168h。氢处
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近年来,诸如智能家居、智能可穿戴设备等基于无线传感器网络（Wireless Sensor Networks,WSN）的各类低功耗物联网（Internet of Things,Io T）设备正在走进寻常百姓家,它们将传感、数据处理与无线通信等功能结合起来,改变了人类生活范式。迄今为止,电池供电仍旧是大量WSN节点首选的供电方式,然而,受制于电池寿命与使用环境等不利因素,有限的能量供给依然是WSN节点
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近年来,航天技术作为衡量国家综合实力的重要一环,得到了越来越多的关注,人们也越来越意识到了保持航天器在宇宙空间环境中可靠性的重要性。而作为航天器中核心器件的半导体器件,全耗尽型绝缘体上硅（FDSOI）结构因其速度高、功耗低、集成密度高、亚阈值特性好等优势受到了业界的认可与关注。但在应用的过程中,由于辐照环境里的高能粒子轰击而造成器件发生软错误的可靠性问题是不容忽视的。因此本论文以小尺寸器件22 n
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绝缘体上硅（Silicon On Insulator,SOI）技术是上个世纪九十年代的研究重点,相较于体硅器件来说,SOI器件具有速度高,功耗低和抗闩锁等优点,也是被业界公认在纳米技术时代取代现有单晶硅材料的解决方案之一,被应用于航空航天等多个领域中。但随着器件的特征尺寸不断减小,器件的工作电压却没有等比例缩小,沟道横向电场逐渐增大,使得热载流子效应引起的器件退化越来越严重,对于SOI器件来说,由
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