有机场效应管或有机薄膜晶体管是以有机半导体材料为有源层的晶体管器件。和传统的无机半导体器件相比，有机器件成本低、容易制成大面积器件，并具有柔性衬底等优点，因此引起广大科技工作者的浓厚的兴趣。经过二十几年的发展，代表性的有机半导体材料主要有聚噻吩、六噻吩、并五苯、并四苯和酞菁铜等，其中并五苯有机薄膜晶体管显示出很高的迁移率，因此以并五苯做有源层的有机薄膜场效应管的研究越来越受到人们的关注，成为理论和实验研究的热点。　　 本文首先介绍了有机半导体材料及场效应管是其中的应用材料，回顾了OFET的发展历史、研究进展及目前存在的问题。本文重点研究了并五苯系列材料。目前，关于并五苯以及并苯系列材料计算的报道并不多，关于电子结构的研究，也大多是第一性原理的结果。本文采用改进的单电子紧束缚模型理论研究了并五苯分子的的电子性质，同时还研究了并四苯、并六苯、并七苯的电子性质，特别是基态和激发态的能级和波函数性质，并同并五苯进行了比较。本文还对紧束缚模型理论和Hückel（休克尔）方法进行了比较，发现休克尔方法它们得到相同形式的公式。我们的能带计算得到了并五苯的最高占据的分子轨道（HOMO）和最低的未占据的分子轨道（LUMO），进而得到五苯带隙能为0.3eV。此结果与其他方法得到的结果基本吻合。　　 本文还研究了掺杂对并五苯电子性质的影响，波函数二阶矩的数值结果表明，掺杂氢原子的个数对二阶矩值的影响很显著。另外，并五苯电子能级对掺杂氢原子的位置也比较敏感。　　 目前并苯系列材料的电子结构的参考数据不多，对采用不同方法所得出的计算结果进行比较有助于增进对并五苯材料性能的理解，也有助于对计算方法的有效性进行评判。本文的结果对并苯系列材料的器件应用也有参考价值。