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作为第二代半导体材料的典型代表,砷化镓(GaAs)材料较硅(Si)具有更好的半导体特性和光电特性,在多种高速器件和光电器件中有着广泛的应用。但是,传统的GaAs薄膜制备方法具有设备复杂、成本高、能耗大、工艺周期长和污染环境等缺点,限制了GaAs薄膜的广泛应用。而采用电共沉积法制备GaAs薄膜可以克服这些缺点。虽然电沉积方法是一种历久弥新的膜材料制备工艺,但电沉积GaAs薄膜却鲜有研究,电沉积GaAs薄膜的质量也有待提高。研究电共沉积GaAs薄膜的工艺条件,分析影响沉积过程和沉积膜质量的因素