随着半导体集成电路制造工艺的不断发展以及各类新型半导体电子器件的研究不断深入,大大推动了科研人员对更好性能的半导体器件的研究。高速柔性电子作为一种具有独特优势的半导体器件,展现出了巨大的应用前景。高速柔性电子器件相对于传统的半导体器件,具有可弯曲、质轻、可依附到粗糙表面等优点,目前已经成为研究的一大热点。本文主要对柔性微波锗PIN二极管的版图工艺实现及弯曲态下的特性进行了研究。本文首先对柔性电子的研究背景现状及材料应用进行了总体介绍,然后介绍了实现高速柔性半导体薄膜器件的薄膜转移技术,完成了不同结构尺寸的柔性微波锗PIN二极管及开关的版图设计,并结合版图对器件制造工艺流程进行了介绍。采用半导体锗纳米薄膜实现的柔性PIN二极管弯曲态测试结果表明其具有良好的电学特性,柔性锗PIN二极管在不同弯曲应力下直流导通电压保持为约0.35V,具有弯曲态下稳定的直流表现;在不同弯曲应力下其插入损耗在0~20GHz之间变化均<0.2dB;在0~20GHz之间隔离度>约10dB,且在弯曲应力下无明显变化,性能相对于柔性硅PIN二极管得到有效提升。此外本文对柔性锗PIN二极管进行了弯曲态下的性能表征与电路模型建立,建立的电路模型对弯曲态下柔性锗PIN二极管的性能变化趋势进行了较好的拟合。弯曲应力对其电路模型参数的影响主要体现在串联电阻上,在最大弯曲应力下其横向和纵向串联电阻相对于平态时分别变化了21.4%和32.7%。研究结果表明柔性锗PIN二极管在弯曲态下具有良好的射频性能表现,并且弯曲应力会对其性能产生规律性的影响,影响与应力的方向有关。