【摘 要】
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二氧化钛纳米管因其制备简单、价格低廉、具有较高的比表面积等，在染料敏化太阳能电池、光解水制氢、紫外光探测器和光催化剂等方面有广泛的应用，但二氧化钛是N型宽禁带半导体材料，禁带宽度达到3.2eV，仅可吸收约占太阳光5%的紫外光，对可见光几乎无吸收，而且其在光照下产生的电子-空穴对（electron-hole pairs）极易复合，因而限制了其应用范围。用窄禁带半导体，如：CdS、CdSe、CuS等对
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二氧化钛纳米管因其制备简单、价格低廉、具有较高的比表面积等，在染料敏化太阳能电池、光解水制氢、紫外光探测器和光催化剂等方面有广泛的应用，但二氧化钛是N型宽禁带半导体材料，禁带宽度达到3.2eV，仅可吸收约占太阳光5%的紫外光，对可见光几乎无吸收，而且其在光照下产生的电子-空穴对（electron-hole pairs）极易复合，因而限制了其应用范围。用窄禁带半导体，如：CdS、CdSe、CuS等对其修饰，寄希望显著拓展其光吸收范围到可见光区且抑制光生电子空穴对的复合，故广泛探讨制备和应用TiO2纳米
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