IGBT由于其优秀的特性而被广泛应用于智能功率模块中,为了提升系统的性能及减小IGBT的导通损耗,智能功率模块的工作频率将会不断提升,高dv/dt变化速度将使得智能功率模块的可靠性遭受到越来越大的挑战。目前,主流的电路结构均未能实现功耗、面积、设计难度、可靠性、速度之间的理想均衡,只有进一步改进电路结构才能突破当下的瓶颈,兼顾好性能及可靠性的共同提升。本文的研究重点关注了该智能功率模块中的高压电平位移电路及三相逆变电路中的噪声抑制问题,通过对电路的基本原理及导致噪声产生的寄生参数的分析,选取了与主流解决方案不同的角度,通过改善除dv/dt速率影响以外的因素,对现有的主流电路结构提出了一些改进建议,实现了对电路可靠性的提升。本文中对电路改进前后特性的比较及噪声的主要影响因素的分析,都是从各自电路的基本模型出发,根据基本电路公式定律,建立起比较分析各问题的模型,模型中将各主要寄生参数作为变量,通过分析各个变量的影响,找到最有利于提升性能及可靠性的因素,最后在电路结构上通过对该变量的瞬态改变来免疫dv/dt噪声,并在dv/dt噪声处于安全范围之时恢复到原设计的结构,以保证电路的正常工作不受干扰。针对高压电平位移电路的改善,本文比较了主流的电平位移电路、高压电容负载电平位移电路、改进后的电阻负载电平位移电路各自的优劣性。仿真数据表明本文提供的改进后的高压电平位移电路相比目前主流的高压电平位移电路能够将dv/dt造成的噪声降低至后者的10%,使得电平位移电路能够在更快的dv/dt变化速率下安全平稳的工作。三相逆变电路的改善是基于对IGBT基本特性的研究,结合IGBT的寄生参数建立起了三相逆变电路的弥勒误导通模型,通过模型及实验论述了电感寄生参数Ls,栅极电阻RG,寄生电容CGC与栅极浪涌电压之间的影响关系,通过擎住效应的分析阐述了弥勒误导通的危害,并通过动态安全工作区限定了安全的dv/dt变化速率范围。最后,采取了与限制dv/dt速率的主流方案不同的方案,通过根据dv/dt变化速率动态改变栅极电阻RG的阻值来提升三相逆变电路可适应的安全dv/dt速度变化范围。