【摘 要】
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随着电子技术的迅速发展,电子器件不断向小型化、低压化发展,而传统的陶瓷制备法受到技术局限难于小型化、低压化,开发薄膜压敏电阻势在必行。但是,目前薄膜压敏电阻的非线性通常较差,为解决这个难题,本文用射频磁控溅射方法,对缺氧型氧化锌(ZnO_(1-x))薄膜中的缺陷类型和水平进行调制,探索其对薄膜组成、结构和电学性能的影响,揭示了其导电机理;并选择低电阻的ZnO_(1-x)薄膜分别在Bi_2O_3和P
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随着电子技术的迅速发展,电子器件不断向小型化、低压化发展,而传统的陶瓷制备法受到技术局限难于小型化、低压化,开发薄膜压敏电阻势在必行。但是,目前薄膜压敏电阻的非线性通常较差,为解决这个难题,本文用射频磁控溅射方法,对缺氧型氧化锌(ZnO_(1-x))薄膜中的缺陷类型和水平进行调制,探索其对薄膜组成、结构和电学性能的影响,揭示了其导电机理;并选择低电阻的ZnO_(1-x)薄膜分别在Bi_2O_3和Pr_6O_(11)粉末中热浸,成功制备出高非线性的ZnO基薄膜压敏电阻,研究了热浸温度、时间对其影响。结
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