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该文通过密度泛涵理论blyp/dnp对C<,60>H<,6>、新型碳化钪内掺富勒烯Sc<,2>C<,2>@C<,84>以及C<,58>Si<,2>的几何结构和电子结构进行了系统研究.我们发现,Sc<,2>C<,2>在C<,84>内是可以稳定存在的,只是内掺后碳笼的体积略有膨胀;内掺Sc<,2>C<,2>后,原先C<,84>的能级简并度消除,HOMO与LUMO间的能系变小,说明Sc<,2>C<,2>@C<,84>比C<,84>具有更大的反应活性;由于Sc<,2>C<,2>与C<,84>之间的电荷转移,Sc<,2>C<,2>@C<,84>的电子结构可以描述为(Sc<,2>C<,2>)<+1>@(C<,84>)<-1>.而对C<,60>H<,6>的几何结构和电子结构研究发现:在C<,60>外附加六个H原子后,碳笼基本保持原先C<,60>的构型,只是体积有些微的变大,跟H原子相连的碳原子有点往外突;由于六个H原子的掺杂,导致原先的能级简并度消除,但HOMO与LUMO间的能系几乎没有变化,仅仅小了0.03eV;每个H原子都有0.15个电荷转移到碳笼上,所以C<,60>H<,6>的电子结构亦可以描述为(H<,6>)<+1> C<,60><-1>.对C<,58>Si<,2>的几何结构和电子结构的研究发现:在C<,58>Si<,2>的同素异形体中,两个Si原子位于六边形对角位置时(C<,58>Si<,2>-6)比两个Si原子位于五边形对角位置时(C<,58>Si<,2>-5)的能量低0.11eV,是C<,58>Si<,2>的基态几何结构.C<,58>Si<,2>同C<,60>相比,只是在Si原子附近原子间的间距有较为明显的变化,其它部分基本保持C<,60>的构型.在电子结构方面,由于C<,58>Si<,2>-6具有C<,s>对称性,使原先的能级简并度消除,LUMO能级下降,HOMO能级上升,HOMO与LUMO间的能隙变小;每个Si原子均失去1.122e的电荷,主要转移到Si-C键上的3个邻近的C原子上,使C<,58>Si<,2>中的Si-C化学键受到极化,结合能增大.