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化学气相沉积生长碳化硅外延层的数值模拟
【摘 要】
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SiC材料具有高强度、高硬度、耐腐蚀等性能,广泛的应用于耐磨材料、电热材料、装甲防护材料、高温高强复合材料等。目前制备高质量的SiC通常采用化学气相沉积法(CVD)。由于沉积过程比较复杂,影响SiC沉积速率和均匀性的因素很多,采用传统的实验方法进行优化和改进沉积过程昂贵且耗时。随着计算机流体力学的发展,越来越多的实验能够用计算机流体力学进行数值模拟。模拟代替实验不仅可以减少工艺参数的优化周期,减少
【出 处】
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南京航空航天大学
【发表日期】
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2020年01期
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