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Ⅲ族氮化物具有宽的直接带隙，是非常重要的半导体材料，在制备电子和光电子器件领域具有广泛的重要应用。Ⅲ族氮化物微纳米材料的的合成、表征分析以及性能的测试是制约其在微纳米器件制作与应用中的关键因素。本论文选取了Ⅲ族氮化物为主攻方向，成功制备出氮化硼纳米线，氮化镓微纳米晶、具有取向生长特点的纳米锥和纳米线等半导体微纳米材料，并利用多种表征手段对产物进行了表征分析，特别是利用电子显微方法对产物的显微结构特点进行了研究分析，在此基础上对产物的形成机理进行了探讨。