射频LDMOS器件是一种在沟道和漏极之间具有漂移区的改进型MOS器件，具有线性度好、耐压高、寄生电容小等优点。在射频功率电路中作为功率器件被广泛应用于广播电视、雷达、智能手机、移动通信基站等领域，研究射频LDMOS器件具有重要意义。　　本文首先简介了射频LDMOS器件的基本结构和工作原理，与普通MOS器件和双极晶体管相比，射频LDMOS器件有多方面的优势。然后研究了射频LDMOS器件的击穿特性，并列出了三种典型的提高器件击穿电压的技术。接着研究了影响LDMOS器件射频特性的因素，并列出了三种改善器件射频特性的改进型器件。在理论研究的基础上，针对传统DI-RF LDMOS器件中存在的缺陷，论文提出了两种改进型器件：带栅极板的FP-RF LDMOS器件和漏极下方具有埋层的BL-RF LDMOS器件。　　利用Synopsys公司提供的TCAD软件Sentaurus TCAD对三种射频LDMOS器件的主要电学参数进行了仿真，并对仿真结果进行了对比和分析。结果显示：改进型器件在几乎不损失传统器件其它电特性参数的前提下，击穿电压分别提高了52.5％和76.8％。通过研究改进型BL-RF LDMOS器件埋层的参数对器件主要特性指标的影响，得出了埋层各个参数的优化设计方法。接着研究了射频LDMOS器件的测试方法，阐述了去除器件寄生效应的方法和测试器件射频参量的详细步骤，最后给出了改进型FP-RF LDMOS和BL-RF LDMOS器件的已流片的版图。