印制电路板（Printed Circuit Board,PCB）作为电子产品中的重要部件,不仅对电子元器件起到支撑、互连的作用,还对电子元器件发挥功能起到保障功能。随着信息技术的进步,电子产品向着“薄、轻、小”的方向发展,高密度互连板（High Density Interconnection,HDI）应运而生。随着信息产业对HDI要求不断提高,HDI板的层数、总板厚度不断增大,层间的电气互连空间逐渐减小,导致层间互联通孔的深径比急剧增大,电镀阶段通孔内外电流密度分布不均,造成通孔内外镀铜层厚度不均匀、产品报废。目前,电镀添加剂和脉冲电镀技术成为破解高深径比通孔电镀的有效途径。因此,本文采用分子量较小,毒性也较弱的2’2-二硫代二吡啶（2,2’-dithiodipyridine,DTDP）作为整平剂,通过阴极极化曲线、X射线光电子能谱（XPS）、X射线衍射仪（XRD）、镀层粗糙度测量和扫描电子显微镜（SEM）等测试方法对其在高深径比通孔脉冲电镀中的适用性和作用机理进行探究;进一步考察添加剂体系组成、脉冲电镀参数对电镀效果的影响。具体研究内容与结论如下:（1）DTDP、聚二硫二丙烷磺酸钠（sodium 3,3’-dithiodipropane sulfonate,SPS）、聚乙二醇8000（polyethylene glycol 8000,PEG-8000）和氯离子作为电镀添加剂,分别单独作为电镀添加剂时,上述所有添加剂均不利于通孔填镀。其中,氯离子、SPS通过吸附于镀件表面加速Cu2+沉积;PEG-8000、DTDP通过吸附于镀件表面抑制Cu2+沉积。（2）当两种添加剂共存于电镀体系时,氯离子和SPS、氯离子和PEG-8000、氯离子和DTDP、PEG-8000和DTDP等组合方式均不利于通孔填镀;而SPS和DTDP、SPS和PEG-8000组合方式均有利于通孔填镀。（3）两种以上添加剂共存于电镀体系时,氯离子、SPS、DTDP组合,以及氯离子、PEG-8000、DTDP组合均不利于通孔填镀;氯离子、SPS、PEG-8000组合,以及氯离子、SPS、PEG-8000和DTDP组合则有利于通孔填镀。（4）DTDP在铜表面形成N-Cu键和S-Cu键,表明DTDP可通过化学吸附占据铜的活性位点并抑制铜的沉积。另一方面,DTDP有利于铜（200）晶面生长,可改善镀铜层能性。（5）对高深径比（14.5:1）通孔脉冲电镀体系正交实验优化表明:当DTDP 1mg·L-1,PEG-8000 500 mg·L-1,Cl-100 mg·L-1,SPS 5 mg·L-1时,电镀体系的深镀能力（TP值）为86.2%,平均表面铜厚度为37.9μm。（6）镀铜层SEM观察和粗糙度数据显示:含DTDP的添加剂体系（Cl-+SPS+PEG-8000+DTDP）的镀铜层表面更平整、无铜瘤,且镀铜层浸锡热应力符合生产要求。该结果表明:DTDP作为整平剂,适用于高深径比通孔脉冲电镀。（7）脉冲电镀参数单因素实验结果表明:当正向电流密度为1 ASD、正/反向时间比40:1、正/反向电流比1:2时,高深径比（14.5:1）通孔深镀能力（TP值）为74.5%,表面铜的平均厚度为27.6μm,可克服通孔“狗骨状”填充。该结果表明:脉冲电镀参数对通孔电镀的效果同样具有显著的影响。