本论文的资助来源为:国家“863”高技术研究发展计划项目“量子点光电子器件微观结构设计与性能预测研究”(批准号:2003AA311070)。垂直腔面发射激光器(VCSEL)作为一种新型光源,相对传统的边发射激光器具有光束质量好、易于制作大规模集成阵列等很多优点。在光纤通信、光互联、光集成器件等领域具有广泛的应用前景。近年来对这种激光器的研究和应用有了很大进展。本文建立了一个对垂直腔面发射激光器进行特性分析的准三维理论模型,它将垂直腔面发射激光器的主要特性(电学特性、光学特性和热场分布特性)直接耦合到一起。在充分研究VCSEL内各种物理过程相互作用的基础上,对温度特性、空间烧孔效应、横模竞争特性等进行了详细研究和分析。本论文的主要内容包括:(1)研究了VCSEL的理论基础,从描述半导体激光器中载流子和光子相互作用的最基本的速率方程出发,全面考虑了载流子扩散、有源区漏电流、注入电流的不均匀性、以及温度变化等因素对VCSEL运行机制的影响,建立起VCSEL的仿真模型,详细论述了模型的建立和实现过程。(2)对VCSEL的热场特性进行分析,通过VCSEL中热传导方程、电压和热源分布的分析,讨论VCSEL中注入电流对温度的影响和电流、温度及输出功率之间的关系。(3)建立了VCSEL的准三维仿真模型,论述了模型建立的依据,并对模型的分析过程进行简单描述,通过对模型的分析,得到电极的形状、位置以及注入电流的强度对激光器横模竞争特性和输出光功率的影响。而且考虑了光波模式角向分布的不均匀性,讨论了注入电流的角向分布对激光器模式选择的影响。