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无线通信、光纤通信系统飞速发展,低频段已经被占满,必须向高频段发展。高频声表面波(SAW)器件使用频率的升高,使它在雷达、电子战、声纳、无线通信、光纤通信系统中正在获得广泛的应用。常规SAW材料(例如,石英、LiNbO3、LiTaO3等),声速较低,用其制作2.5GHz的SAW器件,其IDT指宽d必须小于0.4μm,逼近目前半导体工业水平的极限,在生产中遇到许多问题。金刚石具有所有物质中最高的声速、最高的热导率,2.5GHz对应的指宽d可以大于1μm,5GHz对应的指宽d可以大于0.5μm,10GHz对应的指宽d可以大于0.25μm,因此金刚石多层薄膜结构SAW器件可在很高频率、很高功率工作(1～10GHz)。然而,金刚石本身并不是压电材料,需要在其上面沉积一层压电薄膜(如ZnO、AlN、LiNbO3),制成多层膜SAW器件。铌酸锂是一种重要的压电材料,根据理论计算,其与金刚石构成的多层膜结构具有高声速高机电耦合系数的特点。本文围绕GHzSAW器件的研制,开展了用射频磁控溅射法在高声速衬底金刚石上制备铌酸锂薄膜及六方氮化硼薄膜,利用XRD对薄膜的结晶性能进行分析。主要工作如下:首先,利用RF磁控溅射法采用铌酸锂粉末靶在金刚石衬底上制备铌酸锂薄膜,着重研究了衬底温度和溅射功率这两个工艺条件对薄膜性能的影响,最终得出在衬底温度为600oC,功率为80W,氩氧比为6:4,压强为1Pa的工艺条件下得到LN(006)取向,优化了沉积LN薄膜的工艺参数。其次,在金刚石衬底沉积工艺条件的基础上,采用铌酸锂陶瓷靶,在硅衬底上溅射沉积铌酸锂薄膜,在温度为600oC,功率为50W,氩氧比为6:4,压强为1Pa的工艺条件下取得了较好的LN薄膜。最后,仍然采用磁控溅射法利用h-BN靶材,根据“h-BN/金刚石多层膜体系”对在金刚石衬底上沉积氮化硼薄膜的制备工艺进行了探索性研究,所得数据具有很好的参考价值。总之,通过一系列的研究实验,本文系统讨论了衬底温度和溅射功率对薄膜生长的影响,为下一步制备高频金刚石多层膜声表面波滤波器提供了参考工艺参数。