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世界上80％的催化作用是气体-固体催化，这其中就涉及到气体与固体的表面之间的相互作用。由于CO在过渡金属上的吸附活化对CO的催化过程的重要作用,一直以来CO的吸附是广泛研究的课题。本论文通过扫描隧道显微镜（STM）研究CO在Cu（111）上的吸附结构。 通过在超高真空系统中长时间的吸附，CO在Cu（111）上吸附出各种结构。当吸附时间较短时，CO最先在Cu的缺陷附近吸附。随着吸附时间的增加，在液氮温度，CO在Cu（111）上形成（4×4）的六角结构和（6×6）两种结构，但是，两种结构不稳定，两种结构之间可以相互转化。在液氦温度下，CO在Cu（111）上形成(√3×√3)R300六角和（4×4）蜂窝状两种结构，但是在（4×4）的蜂窝状结构中发生了相变，出现了筹界，并且筹界之间的夹角为600和1200两种。 硅烯与石墨烯类似，由于其与目前硅基半导体工业良好的兼容性和材料易于处理的优势，在电子工业应用方面有良好的前景。翘曲的硅烯是一种零带隙的半导体，由于其电荷载流子为无质量的费米子，能带线性的穿过费米能级。这种极高的载流子迁移率使得硅烯能够成为理想的材料，尤其是在场效应管方面。然而，和体硅相比，硅烯中的表面硅原子是未饱和的。这样硅烯的活性表面可以通过吸附其他原子来使悬挂键饱和，最终达到稳定。在本篇论文中，通过STM研究Cl原子在Ag（111）面上单层硅烯的吸附。 利用分子束外延的方法，我们在Ag（111）衬底上通过外延生长Si制备出硅烯。根据衬底温度和覆盖度的不同，硅烯有多重结构。在这些相中，Ag（4×4）或silicene（3×3）是最简单，也是最容易理解的，因此我们在这种相上进行了吸氯实验。根据Cl的覆盖度的不同，Cl原子吸附在不同的硅原子上。当Cl的覆盖度比较低时，Cl原子吸附在silicene（3×3）中向上翘曲的6个Si原子上，且对这6个Si原子无选择性的吸附。当Cl的覆盖度较高，达到饱和时，翘曲的Si原子重新排列，造成silicene（3×3）单胞的明显移动，但是Si的横向位置没有改变；这样，原来silicene（3×3）中6个向上翘曲的Si的原子变为7个向上翘曲的硅原子.其中一个半单胞中有6个向上翘曲的Si原子，另一个半单胞中有一个向上翘曲的Si原子。然后Cl原子吸附在7的向上翘曲的Si原子上，其中Cl的吸附知识造成Si原子的翘曲程度变大。最终的吸附结构与吸附前有相同的周期，但是两个半单胞为非对称的。