闪存（Flash Memory）是一种长寿命的非易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器。由于其断电后仍能保存数据，闪存通常被用来保存设置信息，如在电脑的BIOS（基本输入输出程序）、PDA（个人数字助理）、数码相机中保存资料等。闪存分为NOR型与NAND型，目前NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储方案，这在不超过8GB的低容量应用中表现的犹为明显。随着人们持续追求功耗更低、重量更轻和性能更佳的产品，NAND闪存正被证明极具吸引力。NAND闪存作为一种比较实用的固态硬盘存储介质，有自己的一些物理特性，NAND闪存的电荷非常不稳定，在写入（编程）时很容易对邻近的单元造成干扰，干扰后会让附近单元的电荷脱离实际的逻辑数值，造成位（bit）出错。由于阈值电压接近的关系，MLC相对SLC来说更容易受到干扰，如何改善写入（编程）干扰是本文研究的主要方向。写入（编程）干扰指的是，某个页(page)在写入（编程）时，邻近位（bit）的电压也被升高了，造成位（bit）出错。为了保证写入数据的完整性,研究如何减少写入（编程）干扰造成的数据出错显得尤为重要，除了芯片级测试参数的修改与写入（编程）的方法可以改善写入（编程）干扰，在系统级测试中，通过ECC算法也可以纠正这些位（bit）的错误。随着NAND闪存工艺的不断提升，同样大小的晶片上被封装入更多的单元，造成干扰越来越厉害，所以需要更强大的ECC来纠正位（bit）。本文重点研究了NAND闪存写入（编程）干扰的原理，由浅入深的介绍了NAND闪存写入（编程）干扰的特性与种类以及各自的改善方法，并结合NAND闪存实际测试过程中遇到的写入（编程）干扰问题，对NAND闪存写入（编程）干扰提出了合理的改善意见与建议。