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闪存(Flash Memory)是一种长寿命的非易失性(在断电情况下仍能保持所存储的数据信息)的存储器。由于其断电后仍能保存数据,闪存通常被用来保存设置信息,如在电脑的BIOS(基本输入输出程序)、PDA(个人数字助理)、数码相机中保存资料等。闪存分为NOR型与NAND型,目前NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储方案,这在不超过8GB的低容量应用中表现的犹为明显。随着人们持续追求功耗更低、重量更轻和性能更佳的产品,NAND闪存正被证明极具吸引力。NAND闪存作为一种比较实用的固态硬盘存储介质,有自己的一些物理特性,NAND闪存的电荷非常不稳定,在写入(编程)时很容易对邻近的单元造成干扰,干扰后会让附近单元的电荷脱离实际的逻辑数值,造成位(bit)出错。由于阈值电压接近的关系,MLC相对SLC来说更容易受到干扰,如何改善写入(编程)干扰是本文研究的主要方向。写入(编程)干扰指的是,某个页(page)在写入(编程)时,邻近位(bit)的电压也被升高了,造成位(bit)出错。为了保证写入数据的完整性,研究如何减少写入(编程)干扰造成的数据出错显得尤为重要,除了芯片级测试参数的修改与写入(编程)的方法可以改善写入(编程)干扰,在系统级测试中,通过ECC算法也可以纠正这些位(bit)的错误。随着NAND闪存工艺的不断提升,同样大小的晶片上被封装入更多的单元,造成干扰越来越厉害,所以需要更强大的ECC来纠正位(bit)。本文重点研究了NAND闪存写入(编程)干扰的原理,由浅入深的介绍了NAND闪存写入(编程)干扰的特性与种类以及各自的改善方法,并结合NAND闪存实际测试过程中遇到的写入(编程)干扰问题,对NAND闪存写入(编程)干扰提出了合理的改善意见与建议。