微弧氧化处理有利于增强材料的耐蚀性,但由于微弧氧化成膜的特点导致制备的膜层存在大量放电孔洞,这为腐蚀介质的侵入提供了便利,因此有必要研究微弧氧化工艺和膜层封孔技术,通过减少膜层孔洞来进一步提高材料的耐蚀性。目前关于工艺参数对钛合金微弧氧化膜层结构与性能的影响规律还不够全面,而且国内外关于钛合金微弧氧化膜层封孔技术的研究多是结合磁控溅射等复杂工艺,为解决该问题,本文选用TC4钛合金,通过电化学阻抗谱、动电位极化曲线、接触角测试、XRD、SEM/EDS和红外光谱等手段,详细研究了微弧氧化工艺参数对膜层结构与耐蚀性的影响规律以及采用硬脂酸和BTESPT硅烷这两类工艺简单的封孔处理后膜层结构和性能的变化。研究结果表明膜层的耐蚀性能与膜层表面孔隙率密切相关,适当增加脉冲频率,减小电流密度和占空比并选择合适的氧化时间能制备出表面孔隙率更小的微弧氧化膜层,从而达到改善膜层耐蚀性的目的。采用硬脂酸或BTESPT硅烷对膜层进行封孔处理后,都能有效地封闭膜层的孔洞,并提高膜层表面的疏水性。与未处理的微弧氧化膜层相比,经硬脂酸封孔处理或硅烷封孔处理后的膜层均显示出更低的腐蚀电流密度和更高的阻抗值,膜层耐蚀性明显提高,表明硬脂酸处理和硅烷处理均是行之有效的表面处理手段,工艺简单且效果明显,为简化微弧氧化膜层封孔工艺提供了思路,有利于拓宽微弧氧化技术的应用范围。