【摘 要】
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聚酰亚胺(PI)拥有突出的力学、耐热及耐化学品等性能,其在电子及微电子行业的应用前景十分广阔。PI的本征介电常数(k)通常在3.1~3.6之间,为了降低超大规模集成电路在电介质夹层中功率损耗及信号延迟,要求其介电常数低于2.5。通过聚倍半硅氧烷上的氨基与聚酰胺酸(PAA)上的酸酐及羧基发生化学反应,制备聚倍半硅氧烷改性PI,不但可以较好地使聚酰亚胺优异的性能得到保持,而且赋予其更佳的耐高低温性能及
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聚酰亚胺(PI)拥有突出的力学、耐热及耐化学品等性能,其在电子及微电子行业的应用前景十分广阔。PI的本征介电常数(k)通常在3.1~3.6之间,为了降低超大规模集成电路在电介质夹层中功率损耗及信号延迟,要求其介电常数低于2.5。通过聚倍半硅氧烷上的氨基与聚酰胺酸(PAA)上的酸酐及羧基发生化学反应,制备聚倍半硅氧烷改性PI,不但可以较好地使聚酰亚胺优异的性能得到保持,而且赋予其更佳的耐高低温性能及力学强度,同时使PI的介电常数得到有效降低。冠醚通过氢键作用嵌套在聚酰亚胺分子主链上,与其形成稳定的主客
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