相变存储器（Phase Change Random Access Memory,PCRAM）是一种具有优良性能的新型非易失性存储技术,具有良好的应用前景。相变材料铬掺杂碲化锑（Cr-SbTe）具有热稳定性高、结晶速度快等优势,具备替代传统相变材料锗锑碲（GST）的潜力。要实现先进相变材料工艺集成,与之相关的相变材料刻蚀是PCRAM制备的关键工艺。因此本文主要从Cr-SbTe薄膜的刻蚀工艺参数优化及刻蚀机理进行探索和研究。本文利用磁控溅射生长Cr-SbTe薄膜,并对不同生长功率条件下的薄膜采用聚焦离子束（FIB）、原子力显微镜（AFM）、X射线能谱分析（EDS）、半导体参数分析仪分别对其厚度、表面粗糙度、元素成分、温阻变化进行了表征,对优化后的Cr-Sb Te薄膜利用XRD、拉曼光谱进行结构表征。分别研究了Ar/SF₆、O₂/SF₆两组混合刻蚀气体的气体流量比例、压强和功率对刻蚀速率的影响,发现Ar/SF₆刻蚀速率明显高于O₂/SF₆。气体总流量为50 sccm、气体比例为Ar/SF₆=10:40时,刻蚀速率最大为144.8 nm/min,刻蚀后薄膜表面均方根粗糙度最小为0.87 nm。随着压强的增加,刻蚀速率逐渐减小,最佳压强为10 m Torr。随着功率的增加刻蚀速率先增大后减小,在压强为10 m Torr,功率为150 W时刻蚀速率最大,侧壁垂直度最佳（接近90°）。Ar/SF₆对光刻胶和Si O₂的刻蚀选择比明显大于O₂/SF₆,Ar/SF₆混合气体对光刻胶的刻蚀选择比最大达到0.83,对SiO₂的刻蚀选择比达到3.3。在以上优化工艺参数的基础上,分析刻蚀过程中发生的化学反应,对刻蚀前后Cr-SbTe薄膜进行XPS表征,分析Cr、Sb、Te元素化学状态变化。发现刻蚀过程中Cr、Te元素较易被刻蚀,Sb元素不易被刻蚀。并通过对刻蚀后薄膜进行XPS深度分析,发现刻蚀后薄膜表面产生一层氟化物薄层,保护刻蚀表面。利用刻蚀工艺制备相变存储单元,并对相变存储单元进行电学性能分析。此论文对相变材料Cr-SbTe的刻蚀工艺应用于相变器件的制作提供了理论依据和实验基础。