【摘 要】
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近年来,将铁电薄膜与半导体电路相集成并研制红外热释电阵列,得到了各国的高度重视.该文困绕铁电薄膜制备技术和红外探测器件研制过程中相关的若干关键问题,开展了三方面的研究工作.其一,以Sol-Gel法制备出适合非制冷红外探测器件用的高质量铁电薄膜;其二,MgO薄膜过渡层的制备和PLCT/MgO/Si结构的电学性能研究;其三,(100)取向富锆PZT铁电薄膜以及(100)取向PLCT铁电薄膜的结构与相关
【机 构】
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中国科学院上海冶金研究所 中国科学院上海微系统与信
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近年来,将铁电薄膜与半导体电路相集成并研制红外热释电阵列,得到了各国的高度重视.该文困绕铁电薄膜制备技术和红外探测器件研制过程中相关的若干关键问题,开展了三方面的研究工作.其一,以Sol-Gel法制备出适合非制冷红外探测器件用的高质量铁电薄膜;其二,MgO薄膜过渡层的制备和PLCT/MgO/Si结构的电学性能研究;其三,(100)取向富锆PZT铁电薄膜以及(100)取向PLCT铁电薄膜的结构与相关物理性能的研究.
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