二维类石墨烯材料由于其本身独特的物理化学性质、超薄厚度以及容易制备等优点,在电子学和电化学中有着重要的应用前景。然而,这些二维材料大部分是无磁的,需要外加电场、衬底、应变、缺陷或掺杂等条件才能引入磁性。但是这些条件在实验上不容易实现,从而限制了其在自旋电子学中的应用。最近有研究报道了两个具有内禀铁磁性的类石墨烯二维材料:半金属铁磁体YN₂单层和铁磁性半导体VS₂薄片。为了探究它们在自旋电子学和热自旋电子学中的应用,我们在此设计了基于这两个二维材料的自旋电子学器件和热自旋电子学器件,采用密度泛函理论结合非平衡态格林函数的方法对其自旋输运性质进行了研究。我们发现,基于YN₂单层的自旋电子学器件在外加偏压下具有完美的双向自旋过滤效应和双向自旋二极管效应。另外,器件在仅靠温差的驱动下产生了方向相反的自旋电流,表现出明显的自旋塞贝克效应。我们从基于YN₂单层的器件的电极态密度出发分析了原子轨道对电输运的贡献;基于VS₂单层的器件也表现出了自旋塞贝克效应,同时具有较好的热致自旋过滤效应和热致负微分电阻效应。我们还发现VS₂单层器件的热致磁阻最高可以达到1.1×10⁵%。我们同时计算了基于VS₂单层器件的电流谱来说明温差诱导产生的自旋电流的变化情况。这些YN₂和VS₂基器件的输运性质可以从电极的能带结构和器件的输运谱得到很好的解释。通过这些理论计算,我们预示了铁磁半金属YN₂单层和铁磁半导体VS₂单层在自旋电子学和热自旋电子学中的潜在应用,对探究其它二维磁性材料的输运性质有一定的指导作用。