深硅刻蚀技术在工业界的很多领域有着广泛应用,包括集成电路的制造、微机电系统的设计、微纳光子学的研究以及三维集成电路堆叠等,其经历了由湿法刻蚀到干法刻蚀的历史演变,随着应用领域的拓宽与推进,工艺技术也得到了极大的发展。而在硅基刻蚀工艺中,高深宽比刻蚀结构的制备成为技术难点,该结构又是很多应用领域所避免不了的,因此高深宽比硅刻蚀的工艺研究有着极大的研究实践价值。目前在十微米至百微米结构尺寸的高深宽比硅刻蚀已取得不错的效果,并基本满足其适用领域,但随着人们对微纳世界的探索,微纳结构的高深宽比硅刻蚀仍需不断完善。在深硅刻蚀工艺中,常见的问题有刻蚀形貌侧壁不平整、不笔直,凹槽底部表面不水平等。进入微纳尺寸,这些条件变得越发苛刻。本论文本着实事求是的原则,利用控制变量法对影响刻蚀形貌的四个变量进行了分析,通过对比研究实验结果,发现了各变量对刻蚀形貌的影响效果与影响程度,相信有了这些实验数据我们将对微纳结构尺寸的深硅刻蚀工艺有一个更加深刻的认识,同时也大大方便了寻找优化参数的过程。文章主要论述了:(1)高深宽比刻蚀工艺的发展历史与现状。介绍了湿法刻蚀、等离子体刻蚀、Bosch刻蚀的演化过程,以及高深宽比硅刻蚀在微机电系统(MEMS)、硅通孔(TSVs)、小尺寸集成电路系统中的应用。(2)ICP-RIE刻蚀的基本原理。(3)实验方案与实施。实验共分为八个步骤,分别是生长Si、旋胶、电子束曝光、显影、生长掩膜、剥离、刻蚀、去掩膜,并对各步骤所用设备与试剂进行了详细说明。(4)实验结果与分析。