论文部分内容阅读
SOI(Silicon On Insulator,绝缘体上的硅)器件因其具有高速、低功耗、可靠性高、抗辐射、隔离性能优良等优点在功率集成电路中得到广泛的应用,一直是近年来的研究热点。然而在实际集成电路的开关工作过程中,由于SOI器件将承受一组变化速率很快的关断电压,导致器件衬底部分将出现深耗尽效应。衬底深耗尽效应的存在将会导致耗尽区向衬底部分发展,使SOI器件的RESURF效应发生改变,从而导致器件的静态耐压成果在实际开关转换电路中的实用性变得较差。针对这一问题,本文做了相关的研究,其主要内容可概括