量子点(QDs)是一种新型的半导体材料,由于带隙可调和良好的光致发光性能备受瞩目,被广泛应用于生物医学、细胞成像等领域。近年来,镉基量子点,由于光学性能优异而广受显示、照明领域的欢迎。但镉元素的生物毒性限制了镉基量子点在免疫分析、生物医学等领域的应用,对环境和人体都有巨大危害。本文研究的对象是无镉量子点磷化铟(InP),探究了发光原理,合成方法与器件应用等内容。当前InP量子点还存在量子产率较低,无法大规模生产等问题,严重制约了InP QDs的应用。本研究采用核壳结构解决InP量子点量子产率不高的问题,对InP分别包覆不同的壳层(ZnSe和ZnS)和不同厚度的壳层,通过对比分析发现硒化锌(ZnSe)在一定程度上可以兼顾带隙和晶格常数(ZnSe 5.66?)的问题,但由于ZnSe的势垒较小,核心内的电子和空穴不易被限制,容易跃迁至壳层,导致光谱红移,而为了得到绿光,需要将核心尺寸减小,使之色彩更纯。当体积较小时,比表面积相对较大,因此表面缺陷增多,量子产率大大降低,并且其自身的化学稳定性也制约ZnSe的应用。通过摸索最佳反应温度、时间、投料比,最后我们发现硫化锌(ZnS)为最佳的包覆层,更好的限制了电子空穴的跃迁,并且得到的InP量子点具有更好的稳定性和更高的量子产率,产率可达75.1%,量子点发光二极管(QLED)器件最大的外量子效率可达2.7%。我们又探索了InP/ZnSe/ZnS,InP/ZnS/ZnS双壳层结构,通过增加壳层的厚度可以增加量子点的稳定性。