硅锗异质结双极型晶体管(SiGe HBT)以其高频、高速、低噪声、低功耗和高性能等优点,被广泛应用于无线通信电路中。随着应用领域的不断拓展,器件模型是集成电路设计和集成电路加工之间的桥梁和纽带,本文重点研究SiGe HBT高频噪声精确建模方法的研究,主要内容包括如下三个方面:　　 针对非准静态效应对高频最小噪声系数模拟精度的影响,因此,本文着重研究了基于包含输入非准静态效应的小信号等效电路模型的Y参数泰勒级数展开解析式的参数直接提取算法。　　 针对当前SiGe HBT高频噪声模型中散粒噪声的Transport与SPICE模型精度不高的问题,基于二端口噪声相关矩阵技术,利用器件的四噪声参数测量数据,提取器件的散粒噪声。基于半经验噪声模型研究的基础上,对其进行完善,并据此研究了归一化的半经验散粒噪声模型。　　 最后,将所建的SiGe HBT高频噪声模型嵌入ADS2005A软件,仿真验证包含输入非准静态效应的小信号等效电路模型参数提取算法的精度,比较基于嵌入的模型获得的四噪声参数与文献数据的一致性,并基于建立的归一化散粒噪声半经验模型验证了输入非准静态效应对Fmin的影响。验证了建模方法的有效性。