硒化镉(CdSe)晶体是一种新型,性能优异的室温化合物半导体核辐射探测器材料,其电阻率高(约10~9Ω/cm)、原子序数大(48,34),禁带宽度宽,物理化学性质稳定,在室温下对x-射线、γ-射线有良好的能量分辨率,可广泛应用于探矿、无损检测、核医学、环境监测、军事和空间宇航技术等领域。同时,它还被作为一种新型的红外非线形光学材料,以及太阳电池材料等。目前,由于合成多晶原料时引入的杂质,生长晶体时化学计量比的偏离以及生长界面的不稳定等问题,使得制备具有高纯度、高完整性、高电阻率的CdSe 单晶体非常困难。而高生长缺陷的晶体,将导致探测器件载流子的收集率低,能量分辨率差,甚至失效。在本实验中,首先,我们从热力学原理出发,计算了硒化镉(CdSe)合成反应的反应焓变,反应熵变,Gibbs 自由能,分析了配料的化学计量比,从热力学角度论证了在中温(～650℃)下直接液相合成高纯CdSe 的可能性,选择了合理的合成工艺参数,进行了多种Cd、Se 配比的CdSe 液相合成的实验,通过X 射线粉末衍射法对合成产物进行了分析表明得到了高纯CdSe 多晶,证实了热力学分析的正确性。另外,在CdSe 晶体的光学性能测试中还发现,用这种合成原料与化学合成料生长的晶体相比,在中红外波段538cm-1处没有吸收峰。分析表明,中温液相合成的CdSe 原料能有效地减小原料中的杂质含量,提高了生长晶体的品质。其次,依据相平衡原理和稳定界面生长模型,确定了生长符合化学计量比的CdSe 单晶体的最佳温度及以稳定界面(平界面)生长所需的晶体生长速度。参照研究结果,对气相法生长