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准同型相界附近的(1-x)Pb(Mg<,1/3>Nb<,2/3>)O<,3> -xPbTiO<,3>(PMNT)和(1-X)Pb(Zn<,1/3>Nb<,2/3>)O<,3> -xPbTiO<,3>(PZNT)单晶具有非常优异的介电和压电性能,因此在压电换能器方面有着非常诱人的应用前景,但PMNT和PZNT单晶相对低的居里温度(T<,c>=155-170℃)和成分不均匀性,以及缺乏对该类材料具有高压电活性本质的了解、都极大地阻碍了其实际应用,这些问题亟待得到解决.该文主要针对这些问题开展了一些工作并得到以下的研究结果.通过使用异质同构的PMNT单晶作籽晶,采用改进的Bridgman方法直接从熔体中生长出了大尺寸(φ20×50mm<3>)的高居里点(1-x) Pb(In<,1/2>Nb<,1/2>O<,3>-xPbTiO<,3>(PINT)单晶.通过该方法生长的PINT单晶表现出与文献报道不太一致的性能,即高的钙钛矿相热稳定性,相对低的居里温度以及很大的室温介电常数.EDS能谱的研究结果表明,这主要是由于晶体生长过程中籽晶中Mg<2+>的扩散引入造成的.但PINT66/34单晶仍然具有较高的居里温度(~200℃)和三方(单斜)—四方相变温度(~100℃),而且具有非常优异的压电性能和很大的场致应变.<001>取向单晶的d<,33>~2000pC/N,k<,33>~94﹪,k<,t>~59﹪,电场诱导的应变可达0.8﹪,电场—应变曲线的滞后很小;<110>取向单晶的d<,33>~1600pC/N ,应变可达0.47﹪,其电场—应变曲线呈现蝶型曲线,存在较大的滞后现象,d<,33>值发生有中—高—低的变化,表明<110>取向单晶高的场致应变与场致三方—正交相变有关.另外该晶体还具有很好的温度稳定性,升温到110℃时,其k<,33>值下降了6﹪.说明该晶体是继PMNT和PZNT单晶之后又一种非常具有发展前途的压电单晶.