基于基片集成波导谐振腔微扰法测量微波介质磁导率的方法研究

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随着现代工业对材料电磁特性要求的不断提到,快速准确地得出材料样品的介电常数及磁导率变得越来越重要。本文通过理论分析及仿真实验,研究了一种测量微波材料磁导率的新方法。论文的主要工作包括:1.分析了几类常见的测量磁导率方法的优缺点,进行了测量方式的选择,就腔微扰法的基本原理进行了详细的理论分析及公式推导,分别给出了当填充介质是非磁性材料及磁性材料时的介质样品磁导率与磁损耗的具体计算公式,结合仿真数据对公式进行了误差分析,并给出了微扰条件。2.选择了基片集成波导(substrate integrated waveguide SIW)作为本文测量方法中所用器件的基本结构。分析了基片集成波导(SIW)的传播特性,给出了基片集成波导(SIW)与介质填充减高矩形波导的等效公式,并用实验的方式验证了等效公式的正确性。3.设计了基片集成波导(SIW)谐振腔,满足微波频段的参数要求。在全波电磁仿真软件中构建了基片集成波导(SIW)谐振腔模型,给出了插入介质样品前后的电磁场分布图,分析了插入介质样品对磁场大小的影响。4.在本征模式下,分别对填充介质是非磁性材料及磁性材料的介质填充减高矩形波导谐振腔进行仿真,得出插入不同介质样品前后的谐振频率点及品质因数,由此计算插入介质样品的磁导率,并对两种情况下计算得磁导率精度不同进行了原因分析及规律预测。之后将谐振腔换成基片集成波导(SIW)谐振腔进行了类似的仿真计算,证明了利用基片集成波导谐振腔代替介质填充减高矩形波导是正确可行的,并得到了插入样品的磁导率数据。5.设计了带有不同馈电的基片集成波导(SIW)谐振腔,包括:同轴线馈电,微带线单端口馈电,微带线双端口馈电。通过电磁软件的辅助仿真优化了各项参数,使之可以满足馈电耦合的参数要求。6.对不同的馈电模型进行电磁仿真,计算出插入样品前后的谐振频率及品质因数,根据所得实验数据计算出插入介质样品的磁导率,并与真实值进行比较,分析误差。
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