N掺杂TiO2纳米管阵列及其与SrTiO3复合物的制备、表征和光催化性能

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【摘要】

：

TiO_2纳米材料是一个具有约3.0-3.2 eV带隙能的n型半导体,因它具有高的光催化活性,较好的化学稳定性,价格低廉,无毒以及抗光腐蚀性的特性,在太阳能电池、光降解有机污染物、光催化分解水制氢方面等有重要的应用。本文采用阳极氧化法合成一系列N掺杂TiO_2 NTAs,研究了NH4F用量、制备电压和煅烧温度对N-TiO_2 NTAs形貌、N掺杂水平、光学性质、光降解有机染料活性和光催化分解水制氢

【作者】

：

王岩

【机构】

：

天津理工大学

【发表日期】

：

2017年02期

【关键词】

：

N-TiO2纳米管阵列光催化制氢光降解 N-TiO2/SrTiO3复合材料

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