对于航空航天飞行器领域使用的电子封装材料,在满足低膨胀、高导热等基本要求的同时,还要满足材料气密性与强度的要求,而且轻质是其首要问题。高硅铝合金作为轻质电子封装材料,不但可以通过改变合金成分实现材料物理性能设计,而且兼有优异的综合性能。但目前在我国同等硅含量的Al-Si电子封装材料还存在不能同时获得低膨胀系数、高热导率的不足,现有的成形方法还均处于实验室研制阶段,需要深入解决的问题仍然很多。本课题的最终研究目标是：开发制备出可在航空航天电子器件封装中应用的高硅铝合金轻质电子封装材料。本论文分析探讨了熔炼铸造、粉末冶金及喷射成形等多种制备工艺的工艺特点,以及工艺参数对材料组织形貌和性能的影响。根据文献及实验结果进行综合分析,提出了后续研发和生产该合金的合理制备工艺建议。认为对于制备硅含量高的Al-Si合金,喷射沉积与热压后续致密化的制备加工方法是非常有发展前景的工艺方法,值得进一步深入研究。本论文还分析了国外公司用喷射沉积与热压相结合方法生产的高硅铝合金轻质电子封装材料样品,对70%Si-Al合金样品的微观组织形貌、相组成、失效断裂方式特征进行了分析观察,结果表明：初生Si相的尺寸仅为20-40μm,分布均匀且形成连续骨架；A1相围绕Si相间隙呈连续网络分布；合金断裂为韧性与脆性共存的混合断裂。并结合国内外研究文献资料综合分析,确定研发生产高硅铝合金轻质电子封装材料时最佳的微观组织形态控制标准。