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随着集成电路工艺的飞速发展,近年来,电子设备及系统正向轻、薄、短、小、低功耗、高速、多功能、高可靠性等方向迅速发展。为了满足这些要求,一方面需要在互连技术中引入低介电常数介质与铜金属互连线;另一方面,电子封装技术也面临着可靠性的巨大挑战。本论文主要研究集成电路后端工艺中的互连和封装工艺,包括以下几个主要部分:1.互连工艺中低介电常数薄膜的制备和分析（1）首先以SiH4、N2O、C2F6三种气体为反应源,采用等离子体增强化学气相淀积（PECVD）的方法,研究了不同的气体流量比、淀积温度、射频功率（RFpower）对掺碳氮氧化硅（SiCON）低介电常数薄膜淀积的影响,并利用XPS、SEM、CV测试方法分析了薄膜的化学性质和电学性质,初步得到比较理想的SiCON薄膜。（2）在此基础上,进一步研究PECVD中不同射频功率（RF power）对淀积的薄膜特性的影响,并利用XPS、CV、IV、FTIR等方法进行分析,发现提高RF power可以有效地降低SiCON薄膜的k值,同时仍然保持很小的漏电流密度,并对潜在的机理进行了讨论。2.卷带封装（Tape carrier package简称TCP）的可靠性研究及模拟（1）卷带封装工艺采用内引脚接合（Inner lead bonding,简称ILB）技术来实现驱动芯片与外部电路的电性连接,所以内引脚（IL）的失效或者脆弱是非常受关注的问题。由于影响ILB工艺的参数很多（主要有8个）,通过逐个实验找到最佳工艺参数组合将耗费大量的时间和成本,所以本文尝试采用田口实验设计（DOE）方法,仅通过18次直交的实验获取了最优化的生产工艺组合;利用引脚剥离实验对结果进行验证,发现采用DOE优化的工艺参数可以明显降低ILB内引脚的失效率。此外,借助ANSYS有限元分析工具研究了其中的原因。（2）基于Darveaux提出的以能量为基础的疲劳模型,研究了TCP的热疲劳寿命。首先利用ANSYS建立TCP的三维简化对称模型,分析计算封装结构在热循环载荷下的形变以及内引脚应变能密度（Strain Energy Density,简称SED）,并通过SED对内引脚的热疲劳寿命进行了预测,同时与经典的疲劳模型进行了比较分析。