【摘 要】
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为了取代高成本的晶体硅电池,制备具有高转换效率的薄膜太阳能电池成为研究的热门。铜锌锡硫(CZTS)作为一种硫族化合物半导体,被视为极具应用前景的吸收层材料之一,传统的CZTS薄膜太阳能电池的转换效率的提升陷入了瓶颈,过宽的吸收层厚度带来了少子传输距离的加长,导致了转换效率的下降。为了突破传统薄膜电池的限制,将微纳表面结构与太阳能电池吸收层结合制备出新型的纳米线阵列吸收层,通过陷光效应实现吸收层吸收
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为了取代高成本的晶体硅电池,制备具有高转换效率的薄膜太阳能电池成为研究的热门。铜锌锡硫(CZTS)作为一种硫族化合物半导体,被视为极具应用前景的吸收层材料之一,传统的CZTS薄膜太阳能电池的转换效率的提升陷入了瓶颈,过宽的吸收层厚度带来了少子传输距离的加长,导致了转换效率的下降。为了突破传统薄膜电池的限制,将微纳表面结构与太阳能电池吸收层结合制备出新型的纳米线阵列吸收层,通过陷光效应实现吸收层吸收效率的提高。采用FDTD对纳米线阵列结构的CZTS吸收层进行了光学模拟仿真,在200～1200nm的入射
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