脉冲功率系统发展至今,产生了一系列储能技术,其中电容器储能技术的储能密度较高、环境污染小、可靠性良好,因此得到了广泛的应用。电介质材料是用于电容储能的关键材料,其中薄膜材料由于其厚度小、耐电场强度大,所获得的储能密度能达到块体陶瓷的好几倍,而备受关注。钙钛矿结构的弛豫铁电体钛酸铋钠(Bi_0.5Na_0.5TiO₃)薄膜的极化强度大,但耐电场强度不高,导致其储能密度不理想。钛酸锶（SrTiO₃）是钙钛矿结构的顺电体,耐压强度大,但其介电常数较低且极化强度小,导致储能密度小而限制了其在储能方面的应用。本论文以Bi_0.5Na_0.5TiO₃-SrTiO₃基薄膜材料作为研究对象,利用Bi_0.5Na_0.5TiO₃的高极化和SrTiO₃的高耐压特性,期望制备出具有较高储能密度的薄膜材料。采用溶胶-凝胶法制备了(Bi_0.5Na_0.5)_1-xSr_xTiO₃（x=0.2,0.3,0.4,0.5,0.6,0.7,简写为BNT-ST100x）薄膜材料。发现,钛酸锶能与钛酸铋钠很好的固溶,形成立方钙钛矿结构。通过对钛酸铋钠钙钛矿结构中A位离子的取代,能够在一定程度上减少其在高温过程中Na、Bi元素的挥发,从而降低薄膜晶体结构中氧空位的数量,减少了晶体的缺陷,细化了晶粒尺寸,降低了薄膜的铁电性,提高了薄膜的致密度,使得其储能密度得到改善。随着SrTiO₃含量的增加,BNT-ST薄膜的耐电场强度逐渐增大,在BNT-ST70组分获得了最佳的耐电场强度,为1750 kV/cm。在1500 kV/cm的电场强度下,BNT-ST50这一组分的储能密度达到了最大值32 J/cm³。在最优储能密度组成BNT-ST50体系中掺入不同含量的Mn,制备了一系列储能薄膜。XRD分析表明,Mn的掺入并未破坏BNT-ST50的钙钛矿结构,且制得的薄膜均为立方相。薄膜表面的晶粒生长情况良好,随着Mn含量的增大,BNT-ST50薄膜的晶粒尺寸有减小的趋势,这是由于Mn取代了Ti位,这一过程抑制了Ti离子的变价,从而减少了氧空位的数量,使得薄膜的结构更致密。未掺杂Mn的BNT-ST50薄膜耐压电场强度为1500 kV/cm,随着Mn掺杂量的增加,薄膜的耐压电场强度有很大的提升,为5000 kV/cm（Mn掺杂量为5 mol%、7 mol%、10 mol%）。Mn掺杂BNT-ST50薄膜的最大储能密度在Mn掺杂量为5mol%时获得,为80.7 J/cm³,储能效率为71%。