自80年代以来,硫氰酸配合物作为一类优良的新型非线性光学材料,就以其相比于无机材料有较高的非线性光学系数,相比于无机晶体具有良好的非线性光学性能,逐渐成为人们探索新光学功能晶体材料的热点。但微观理论研究滞后,在一定程度上制约了该类晶体的开发和应用。目前还没有应用第一性原理和密度泛函理论来研究硫氰酸配合物的相关报道。因此,本文应用第一性原理和密度泛函理论来分析这类硫氰酸配合物的电子能带结构,研究其非线性光学效应的主要来源,加深人们对硫氰酸配合物的微观结构的认识,为分子工程设计性能优异的非线性光学晶体提供一些有用的信息。在众多的第一性原理计算方法中,基于第一性原理的平面波赝势法是一种计算精度高,性能可靠的运算方法,特别适合晶体材料研究。本论文主要利用平面波赝势法,展开以下几个方面的研究:1)采用从头计算平面波赝势法计算了尿素晶体的电子能带结构,计算表明其非线性光学效应主要由C、N、O原子的能量较高的2p电子态的杂化引起。同时计算了该晶体的线性和非线性光学系数。2)采用从头计算平面波赝势法计算了铌酸锂晶体的电子能带结构和态密度,计算表明其非线性光学效应主要由Nb原子的4d电子态和O原子的2p电子态的杂化引起。同时还计算了该晶体的线性和非线性光学系数。3)采用从头计算平面波赝势法计算了硫氰酸锌镉晶体的电子能带结构,计算表明C原子、N原子和S原子的p轨道量子态发生明显杂化是其非线性光学效应的主要来源。同时还计算了该晶体的线性和非线性光学系数。