在紫外探测器领域,目前Ⅲ族氮化物紫外探测器是最具吸引力的研究方向之一。但是,该领域尚有很多没有解决的问题。本文的主要目标是实现高性能的GaN基紫外光电探测器。要实现该目标,需要系统地针对材料生长与表征、器件建模与设计、器件工艺和器件测试与分析来开展研究工作。本文中介绍了在相关领域我们所开展的工作及研究结果。　　 目前困扰我们利用GaN基材料制备高性能紫外探测器的障碍主要有:高位错密度、低掺杂效率、高暗电流水平等,特别是对于应用于日盲探测器的高铝组分材料而言,上述问题更加严重。要解决这些问题,我们需要对材料生长技术和器件工艺技术进入深入的研究。通过针对上述问题开展研究,本文中实现了高性能PIN结构和肖特基结构的AlGaN日盲PIN紫外探测器,所报道的PIN结构紫外探测器雪崩增益指标达到世界最高水平,肖特基结构紫外探测器雪崩增益指标接近世界最高水平。另外,本文中还利用GaN紫外探测器对ICP刻蚀后的材料表面恢复进行研究,找到了适合的后处理工艺,大大降低了器件的暗电流水平,并对其原因进行了深入的分析。