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光刻胶是在制造超大规模集成电路(ULSI)的光刻工艺所需的关键材料,目前世界研究的热点是在硅片上刻蚀几十纳米高分辨率的193nm光刻胶。英特尔已成功将193nm光刻胶应用于浸没式光刻机作为光刻设备主流,而我国193nm光刻胶技术还不算成熟,存在裂缝、表面粗糙和非曝光区胶膜部分溶解所造成的胶膜溶胀问题,因此开发和合成新型高效193rnm光刻胶酸敏单体具有重要理论意义和应用价值。甲基丙烯酸金刚烷酯类化合物广泛应用于193nm光刻胶主体树脂和酸敏单体结构中,我合成了四个新型的193rnm光刻胶酸敏单体,即甲基丙烯酸(2-甲氧甲基-2-金刚烷)酯、甲基丙烯酸(2-乙氧甲基-2-金刚烷)酯、甲基丙烯酸(2-丙氧甲基-2-金刚烷)酯、甲基丙烯酸(2-异丙氧甲基-2-金刚烷)酯,总收率分别为60%、50%、35%、20%,制备的化合物纯度均大于96%,产品结构经1HNMR、IR、MS表征。对上述酸敏单体进行了酸解速率常数测试,酸解速率最高的酸敏单体是甲基丙烯酸(2-甲氧甲基-2-金刚烷)酯,酸解速率常数k为-11.04,是目前正在应用的甲基丙烯酸(2-甲基-2-金刚烷)酯的7.3倍。从实验结果得到,甲基丙烯酸(2-甲氧甲基-2-金刚烷)酯的制备收率、酸解速率是最好的。对甲基丙烯酸(2-甲氧甲基-2-金刚烷)酯合成工艺的溶剂、反应物配比、反应温度、反应时间、催化剂及加料方式等影响因素进行了考察。另外探讨了另一种合成甲基丙烯酸(2-甲氧甲基-2-金刚烷)酯的方法,即以二甲基亚砜为原料合成三甲基硫氧鎓碘盐,再与金刚酮反应合成金刚烷-2-螺环-环氧乙烷,其在碱性条件下开环得中间体2-甲氧甲基-2-金刚烷醇,再滴加甲基丙烯酰氯合成甲基丙烯酸(2-甲氧甲基-2-金刚烷)酯,并对2-甲氧甲基-2-金刚烷醇的提纯条件进行了考察。