磁控溅射法制备TI-Si0-N薄膜及其性能研究

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复合材料薄膜钛硅氮(Ti-Si-N),以其优异的力学性能和化学稳定性,一直以来成为硬质材料领域的研究热点。本论文通过利用磁控溅射技术制备复合结构的Ti-Si-N薄膜,基底是Al金属和Si片,研究了在不同的工艺条件下薄膜的性能。并且利用电子探针(EPMA)、原子力显微镜(AFM)、X射线衍射、纳米压痕仪和划痕试验机对薄膜的结构和机械性能进行了测试表征。结论如下:  (1)利用JGP-280型单靶磁控溅射主要研究了气压对薄膜性能的影响。  随着溅射气压的增大,制备的Ti-Si-N薄膜的厚度并未发生明显的变化。由此可知,溅射气压对薄膜沉积速率的影响不大。随着溅射气压的升高,薄膜的表面粗糙度变大。随着溅射气压的升高,薄膜的硬度值明显下降,当溅射气压为0.5Pa时,薄膜的硬度达到最大,为21.2GPa。  (2)利用JGP-450A型三靶磁控溅射系统研究了N2流量、Si靶功率和负偏压对薄膜性能的影响。  随着N2流量的增加,薄膜的沉积速率逐渐减小。N2流量为15sccm时硬度值达到最大值,为23.2GPa。  通过XRD图谱可以看出,不同Si靶功率下制备的Ti-Si-N薄膜呈现出多晶结构,具有(111)、(200)和(220)择优取向。在Si靶功率为0W和80W时,方均根粗糙度分别为19.68nm和10.92nm。随着Si靶功率的逐渐增大,薄膜的硬度和杨氏模量值变大,并且在Si靶功率为30W时达到最大值,分别为27.1GPa和298.5GPa,此时产生了最高强度的膜基结合力,为1800g。  薄膜的沉积速率随着负偏压的增大持续降低。当偏压增大到200V时,Si含量达到最大。在负偏压为100V的时,薄膜硬度值达到最大,为26.2GPa。负偏压为300V时膜基结合力达到最大,为650g。
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