近年来,一维纳米材料因为具有许多奇异的物理和化学性质及在纳米材料器件化等许多领域具有重要的应用前景,而引起人们的广泛关注。基于氧化铝模板制备形状可控的金属纳米线,为纳米材料器件化的发展打下了良好的基础。目前,人们利用氧化铝模板制备了各种形貌的金属纳米线。但是对于梯度直径金属纳米线的电输运性能缺少必要的研究。本工作旨在探索基于氧化铝模板制备梯度直径的金属纳米线,并对沉积在模板中的金属纳米线阵列进行电输运性能的研究。1)改进了氧化铝模板的制备工艺,制备出多种孔洞形貌的氧化铝模板。用草酸作为电解液,通过缓慢改变阳极氧化电压制备出具有梯度孔径的氧化铝模板。使用饱和的氯化铜溶液去掉模板背面的铝基底;同时,使用5wt﹪的磷酸溶液腐蚀掉氧化铝阻挡层,以利于直流电沉积制备金属纳米线。也可以通过减薄阻挡层的方法运用交流电沉积制备金属纳米线。2)使用具有梯度直径变化的氧化铝模板,采用电化学沉积的方法制备了具有梯度直径变化的银纳米线阵列。为了进一步验证梯度银纳米线的电输运性能,同时制备了具有直线形貌的银纳米线和铁纳米线。通过添加酒石酸,采用氧化铝模板直流电沉积方法可以制备具有六方相(4H)结构的银纳米线3)利用伏安法研究了氧化铝模板内梯度直径银纳米线阵列电输运性能。结果表明:具有梯度变化的银纳米线阵列电压与电流的关系表现为非线性特征,金属纳米线由导体向半导体过度。然而,具有直线形貌的银纳米线阵列和铁纳米线阵列的I-V曲线图呈现出线性特征。这种测量,结果进一步证明了一维梯度直径金属纳米线的半导体特性,是由于其自身的梯度直径变化所引起的。产生这种现象的原因,可能是由于库仑阻塞效应和小尺寸效应引起的。