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该文系统介绍了III-V族氮化物材料的物性和基于该材料体系的基本器件结构. 叙述了用于生长氮化物的射频源分子束外延设备的原理和构造.在此基础上,详细讨论了作者在如下几个方面的工作:1、利用射频源分子束外延设备生长高质量的立方相GaN材料.2、系 统研究了不同Si掺杂剂量的立方相GaN的光荧光谱行为.3、研究了AIN及GaN形核层的 出现 对于GaN外延膜的相结构的影响.