作为第三代红外焦平面器件的突出代表，由响应两个不同波段的光电二极管在探测芯片纵向上叠加的红外双色探测器，具有高度集成、高可靠、超高速和小型化等特点，从对目标单一的探测功能扩展到对目标的认识，进而最终实现对目标快速识别。这类双色红外焦平面探测器器件的实现是技术上的难点，明显不同于常规的微电子加工和微机械加工。双色探测器的器件结构的制作需要进行微台面光刻及刻蚀工艺来完成，而大面阵多像元的制备需要进行微台面列阵的隔离。本文的研究依托于半导体所的GaAs/AlGaAs系双色量子阱红外焦平面探测器项目，主要负责其中的工艺实现部分。在本研究中，针对芯片的制作进行了关键工艺的研究，主要包括微台面ICP刻蚀、湿法腐蚀及微台面光刻工艺的研究。最终得到了适用于该类芯片制备的刻蚀速率适当、选择比较高、刻蚀侧壁形貌良好的ICP刻蚀参数。通过优化后的光刻工艺得到了表面形貌良好的图形，并将光刻工艺的优化方法应用到金属电极图形的制作中，满足了深沟槽底部制备图形的要求。主要的创新性成果如下：（1）对沟槽深度不同时微台面表面光刻胶涂覆过程进行数值描述，得到了光刻胶沉积厚度与表面轮廓函数、沉积速度之间的关系，进而解释了不同沟槽深度下光刻胶沉积厚度变化的问题。根据Beer定律中对薄光刻胶光吸收系数α的描述，解释了使用平面图形光刻工艺参数制作图形时深沟槽底部曝光不足的现象。同时，根据不同曝光时间下特定厚度的光刻胶光强透过率实验对初始工艺参数进行优化，将其应用到微台面光刻工艺中。再次优化该光刻工艺并应用到金属电极图形制备工艺中，保持了金属电极图形的完整性，为金属爬坡工艺打下了良好的基础。（2）研究了光刻胶厚度对侧壁倾角影响在微台面图形刻蚀中的尺寸效应，提出了关于刻蚀机理的尺寸增益现象及可能发生的刻蚀离子的散射模型，解释了光刻胶厚度较大时微台面图形侧壁倾角变化明显的现象。在此基础上，研究了ICP刻蚀参数对GaAs样品刻蚀后侧壁倾角的变化的影响，通过ICP刻蚀过程中的化学、物理反应过程来解释这一变化。在上述研究的基础上，进行多次ICP刻蚀实验找到了满足芯片刻蚀要求的ICP刻蚀参数，并将其应用到芯片制备中，得到了良好的重复性及良好的侧壁形貌。